Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6.8 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE

RS-varenummer:: 130-0898
Producentens varenummer:: IPD60R1K0CEAUMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6.8 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 108,90

(ekskl. moms)

Kr. 136,125

(inkl. moms)

Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
25 +	Kr. 4,356	Kr. 108,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 130-0898
Producentens varenummer:: IPD60R1K0CEAUMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	6.8A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	TO-252
	Serie	CoolMOS CE
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	1Ω
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-40°C
	Effektafsættelse maks. Pd	61W
	Gennemgangsspænding Vf	0.9V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	13nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	2.41mm
	Længde	6.73mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.8A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype TO-252
	Serie CoolMOS CE
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 1Ω
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -40°C
	Effektafsættelse maks. Pd 61W
	Gennemgangsspænding Vf 0.9V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Højde 2.41mm
	Længde 6.73mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 6,8A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 61W maksimal effektafledning - IPD60R1K0CEAUMA1

Denne højspændings-MOSFET er designet til at forbedre ydeevnen i forskellige strømapplikationer. Den er velegnet til systemer, der kræver robuste skiftefunktioner, og bruges i sektorer som automatisering og elektronik. CoolMOS-teknologien anvender superjunction-principper, der sikrer effektivitet og pålidelighed under forskellige driftsforhold.

Egenskaber og fordele

• Reduktion af koblings- og ledningstab øger effektiviteten

• Robust kropsdiode modstår hård kommutering for øget pålidelighed

• Egenskaber med lav gate-ladning forenkler kravene til drivere under drift

• Forbedret ESD-robusthed fremmer holdbarheden i udfordrende miljøer

• Velegnet til både hårde og bløde skift, optimerer ydeevnen

Anvendelsesområder

• Anvendes i effektfaktorkorrektionstrin for effektiv energistyring

• Anvendes i hårdt skiftende PWM-trin til effektiv strømkonvertering og -styring

• Integreres problemfrit i resonanskoblingstrin på tværs af forskellige enheder

• Velegnet til flere sektorer, herunder belysning, servere og telekommunikationsudstyr

Hvordan påvirker skifteadfærden energieffektiviteten under drift?

Koblingsadfærd er vigtig, da lavere koblingstab bidrager til højere samlet effektivitet, hvilket fører til køligere drift og reduceret varmeudvikling, som understøtter systemets levetid.

Hvilke beskyttelsesforanstaltninger anbefales under installationen?

Det anbefales at bruge ferritperler på gates eller separate totempæle for at reducere ringning og sikre stabil drift under omskiftning.

Kan den fungere effektivt under ekstreme temperaturforhold?

MOSFET'en er klassificeret til drift mellem -40 °C og +150 °C, hvilket giver pålidelig funktionalitet under forskellige miljøforhold.

Hvilke overvejelser skal man gøre sig, når man parallelkobler flere enheder?

For at opnå en effektiv parallelkobling skal der anvendes korrekte gate-drive-teknikker for at opnå en afbalanceret strømfordeling mellem enhederne og optimere ydeevnen.

Hvilke konsekvenser har de maksimale værdier for systemdesignet?

Det er afgørende for systemdesignet at forstå maksimale værdier som f.eks. kontinuerlig strøm og spændingsgrænser for at undgå at overskride disse grænser og dermed sikre ydeevne og pålidelighed i applikationer.