Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6.8 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE Nej IPD60R1K0CEAUMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 86,40

(ekskl. moms)

Kr. 108,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 3,456Kr. 86,40

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
130-0898
Producentens varenummer:
IPD60R1K0CEAUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.8A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-252

Serie

CoolMOS CE

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Effektafsættelse maks. Pd

61W

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.73mm

Bredde

6.22 mm

Højde

2.41mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 6,8A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 61W maksimal effektafledning - IPD60R1K0CEAUMA1


Denne højspændings-MOSFET er designet til at forbedre ydeevnen i forskellige strømapplikationer. Den er velegnet til systemer, der kræver robuste skiftefunktioner, og bruges i sektorer som automatisering og elektronik. CoolMOS-teknologien anvender superjunction-principper, der sikrer effektivitet og pålidelighed under forskellige driftsforhold.

Egenskaber og fordele


• Reduktion af koblings- og ledningstab øger effektiviteten

• Robust kropsdiode modstår hård kommutering for øget pålidelighed

• Egenskaber med lav gate-ladning forenkler kravene til drivere under drift

• Forbedret ESD-robusthed fremmer holdbarheden i udfordrende miljøer

• Velegnet til både hårde og bløde skift, optimerer ydeevnen

Anvendelsesområder


• Anvendes i effektfaktorkorrektionstrin for effektiv energistyring

• Anvendes i hårdt skiftende PWM-trin til effektiv strømkonvertering og -styring

• Integreres problemfrit i resonanskoblingstrin på tværs af forskellige enheder

• Velegnet til flere sektorer, herunder belysning, servere og telekommunikationsudstyr

Hvordan påvirker skifteadfærden energieffektiviteten under drift?


Koblingsadfærd er vigtig, da lavere koblingstab bidrager til højere samlet effektivitet, hvilket fører til køligere drift og reduceret varmeudvikling, som understøtter systemets levetid.

Hvilke beskyttelsesforanstaltninger anbefales under installationen?


Det anbefales at bruge ferritperler på gates eller separate totempæle for at reducere ringning og sikre stabil drift under omskiftning.

Kan den fungere effektivt under ekstreme temperaturforhold?


MOSFET'en er klassificeret til drift mellem -40 °C og +150 °C, hvilket giver pålidelig funktionalitet under forskellige miljøforhold.

Hvilke overvejelser skal man gøre sig, når man parallelkobler flere enheder?


For at opnå en effektiv parallelkobling skal der anvendes korrekte gate-drive-teknikker for at opnå en afbalanceret strømfordeling mellem enhederne og optimere ydeevnen.

Hvilke konsekvenser har de maksimale værdier for systemdesignet?


Det er afgørende for systemdesignet at forstå maksimale værdier som f.eks. kontinuerlig strøm og spændingsgrænser for at undgå at overskride disse grænser og dermed sikre ydeevne og pålidelighed i applikationer.

Relaterede links