Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 16.476,00

(ekskl. moms)

Kr. 20.596,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 8,238Kr. 16.476,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
171-2416
Producentens varenummer:
TK100S04N1L
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

180W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

76nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.3mm

Længde

6.5mm

Bredde

7 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):
JP
Anvendelsesområder

Til brug i biler

Skiftespændingsregulatorer

Motordrivere

Funktioner

Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1,9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Lav lækstrøm: IDSS = 10 μA (maks.) (VDS = 40 V)

Optimeret tilstand: Vth = 1,5 til 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)

Relaterede links