Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101 TK8S06K3L

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 69,04

(ekskl. moms)

Kr. 86,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 1.360 enhed(er) afsendes fra 14. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 6,904Kr. 69,04
50 - 90Kr. 5,917Kr. 59,17
100 - 990Kr. 5,169Kr. 51,69
1000 +Kr. 4,593Kr. 45,93

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-2501
Producentens varenummer:
TK8S06K3L
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

80mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

25W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.3mm

Længde

6.5mm

Bredde

7 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
JP
Til brug i biler

Motordrivere

DC/DC-konvertere

Skiftespændingsregulatorer

Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 43 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Lav lækstrøm: IDSS = 10 μA (maks.) (VDS = 60 V)

Optimeret tilstand: Vth = 2,0 til 3,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Relaterede links