Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 1.05 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSH105
- RS-varenummer:
- 509-273
- Producentens varenummer:
- BSH105,215
- Brand:
- Nexperia
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 37,86
(ekskl. moms)
Kr. 47,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 20 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | Kr. 1,893 | Kr. 37,86 |
| 40 - 80 | Kr. 1,294 | Kr. 25,88 |
| 100 - 180 | Kr. 0,812 | Kr. 16,24 |
| 200 - 380 | Kr. 0,789 | Kr. 15,78 |
| 400 + | Kr. 0,778 | Kr. 15,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 509-273
- Producentens varenummer:
- BSH105,215
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.05A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | BSH105 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 417mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.9nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.05A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie BSH105 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 417mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.9nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-Channel MOSFET, op til 30 V.
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 1.05 A 20 V Forbedring SOT-23, BSH105
- Nexperia Type N-Kanal 270 mA 60 V Forbedring SOT-23
- Nexperia Type N-Kanal 850 mA 30 V Forbedring SOT-23, BSH103
- Nexperia Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002
- Nexperia Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, PMBF170
- Nexperia Type N-Kanal 1.9 A 30 V Forbedring SOT-23, BSH108
- Nexperia Type N-Kanal 5.1 A 30 V Forbedring SOT-23, PMV45EN2
- Nexperia Type N-Kanal 4.4 A 30 V Forbedring SOT-23, PMV40UN2
