STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal, MOSFET, 545 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TO-LL, STripFET F7
- RS-varenummer:
- 558-985
- Producentens varenummer:
- STO450N6F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 1800 enheder)*
Kr. 37.605,60
(ekskl. moms)
Kr. 47.007,00
(inkl. moms)
Tilføj 1800 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1800 + | Kr. 20,892 | Kr. 37.605,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 558-985
- Producentens varenummer:
- STO450N6F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 545A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-LL | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | ECOPACK | |
| Bredde | 10.1 mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Længde | 10.58mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 545A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-LL | ||
Serie STripFET F7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser ECOPACK | ||
Bredde 10.1 mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Længde 10.58mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET bruger STripFET F7-teknologi med en forbedret trench gate-struktur, der resulterer i meget lav on-state modstand, samtidig med at den interne kapacitans og gate-ladning reduceres for hurtigere og mere effektiv switching.
Blandt de laveste RDSon på markedet
Fremragende FoM
Høj lavine-robusthed
Relaterede links
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 545 A 60 V Forbedring TO-LL, STripFET F7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 140 A 60 V Forbedring PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET F7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET F7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET F7
- STMicroelectronics N-Kanal 200 A 40 V H2PAK, STripFET F7 STH410N4F7-6AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 46 A 600 V Forbedring TO-LL
