STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, STripFET F7

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
165-8231
Producentens varenummer:
STB100N6F7
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-263

Serie

STripFET F7

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12.6nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

9.35mm

Længde

10.4mm

Højde

4.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal STripFET™ F7-serien, STMicroelectronics


STMicroelectronics STripFET™ F7-serien af lavspændings-MOSFET'er har lavere on-state-modstand med reduceret intern kapacitet og gate-opladning for hurtigere og mere effektiv kobling.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.