Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 350 mA 90 V Forbedringstilstand, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA)

Se alle MOSFET

Indhold (1 pose af 1000 enheder)*

Kr. 9.473,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.841,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 06. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pose*
1000 +Kr. 9,473Kr. 9.473,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
598-539
Producentens varenummer:
VN0550N3-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Kanaltype

N-kanals lodret DMOS FET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

350mA

Drain source spænding maks. Vds

90V

Emballagetype

TO-92-3 (TO-226AA)

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3Ω

Kanalform

Forbedringstilstand

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.08mm

Højde

5.33mm

Bredde

4.19 mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

Microchip N-kanalforbedringstilstand vertikal transistor udnytter en vertikal dobbeltdiffuseret metaloxidhalvleder (DMOS) struktur sammen med en velprøvet silicium gate fremstillingsproces. Denne kombination sikrer, at enheden er fri for sekundær sammenbrud og fungerer med et lavt strømkrav til drev, hvilket gør den effektiv og pålidelig til forskellige anvendelser.

Let at parallellisere

Krav om lavt strømforbrug

Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Relaterede links