Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 350 mA 90 V Forbedringstilstand, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA)

Se alle MOSFET

Indhold (1 pose af 1000 enheder)*

Kr. 7.472,00

(ekskl. moms)

Kr. 9.340,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pose*
1000 +Kr. 7,472Kr. 7.472,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
598-665
Producentens varenummer:
VN2460N3-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Kanaltype

N-kanals lodret DMOS FET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

350mA

Drain source spænding maks. Vds

90V

Emballagetype

TO-92-3 (TO-226AA)

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3Ω

Kanalform

Forbedringstilstand

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

5.33mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Længde

5.08mm

Bredde

4.19 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH
Microchip N-kanal-forbedringstilstand vertikal MOSFET er en normalt slukket transistor, der bruger en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination giver strømhåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og giver samtidig den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er typisk for MOS-enheder. Som med alle MOS-strukturer er enheden fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud, hvilket sikrer pålidelig ydeevne selv under krævende forhold.

Fri for sekundær nedbrydning

Krav om lavt strømforbrug

Let at parallellisere

Fremragende termisk stabilitet

Integreret source-drain-diode

Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Relaterede links