Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 350 mA 90 V Forbedringstilstand, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),
- RS-varenummer:
- 598-665
- Producentens varenummer:
- VN2460N3-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 pose af 1000 enheder)*
Kr. 7.207,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.009,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pose* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 7,207 | Kr. 7.207,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-665
- Producentens varenummer:
- VN2460N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | N-kanals lodret DMOS FET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 90V | |
| Emballagetype | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Serie | VN2460 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Længde | 5.08mm | |
| Højde | 5.33mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype N-kanals lodret DMOS FET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 90V | ||
Emballagetype TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Serie VN2460 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Længde 5.08mm | ||
Højde 5.33mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Microchip N-kanal-forbedringstilstand vertikal MOSFET er en normalt slukket transistor, der bruger en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination giver strømhåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og giver samtidig den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er typisk for MOS-enheder. Som med alle MOS-strukturer er enheden fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud, hvilket sikrer pålidelig ydeevne selv under krævende forhold.
Fri for sekundær nedbrydning
Krav om lavt strømforbrug
Let at parallellisere
Fremragende termisk stabilitet
Integreret source-drain-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal 350 mA 90 V Forbedringstilstand TO-92-3 (TO-226AA),
- Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal 450 mA 40 V Forbedringstilstand TO-92-3 (TO-226AA),
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3), DN2450
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3), DN2530
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3), DN3765
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3), DN3145
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3), DN2535
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3), DN3545