Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 350 mA 90 V Forbedringstilstand, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA)

Se alle MOSFET

Indhold (1 pose af 1000 enheder)*

Kr. 11.074,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.842,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pose*
1000 +Kr. 11,074Kr. 11.074,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
598-726
Producentens varenummer:
VP0550N3-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Kanaltype

N-kanals lodret DMOS FET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

350mA

Drain source spænding maks. Vds

90V

Emballagetype

TO-92-3 (TO-226AA)

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3Ω

Kanalform

Forbedringstilstand

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bredde

4.19 mm

Længde

5.08mm

Højde

5.33mm

Bilindustristandarder

Nej

Microchip P-kanal-forbedringstilstand vertikal MOSFET er en transistor med lav tærskel, normalt slukket, der udnytter en vertikal DMOS-struktur og Supertex' gennemprøvede silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination giver strømhåndtering af bipolære transistorer sammen med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Som med alle MOS-strukturer er denne enhed fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud, hvilket sikrer robust og pålidelig ydeevne.

Fri for sekundær nedbrydning

Krav om lavt strømforbrug

Let at parallellisere

Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Fremragende termisk stabilitet

Relaterede links