Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 350 mA 90 V Forbedringstilstand, 3 Ben, TO-92-3 (TO-226AA),
- RS-varenummer:
- 598-726
- Producentens varenummer:
- VP0550N3-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 pose af 1000 enheder)*
Kr. 14.380,00
(ekskl. moms)
Kr. 17.980,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pose* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 14,38 | Kr. 14.380,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-726
- Producentens varenummer:
- VP0550N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | N-kanals lodret DMOS FET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 90V | |
| Emballagetype | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Serie | VP0550 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.08mm | |
| Højde | 5.33mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bredde | 4.19 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype N-kanals lodret DMOS FET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 90V | ||
Emballagetype TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Serie VP0550 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.08mm | ||
Højde 5.33mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bredde 4.19 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip P-kanal-forbedringstilstand vertikal MOSFET er en transistor med lav tærskel, normalt slukket, der udnytter en vertikal DMOS-struktur og Supertex' gennemprøvede silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination giver strømhåndtering af bipolære transistorer sammen med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Som med alle MOS-strukturer er denne enhed fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud, hvilket sikrer robust og pålidelig ydeevne.
Fri for sekundær nedbrydning
Krav om lavt strømforbrug
Let at parallellisere
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Fremragende termisk stabilitet
Relaterede links
- Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal 350 mA 90 V Forbedringstilstand TO-92-3 (TO-226AA)
- Microchip N-kanals lodret DMOS FET-Kanal 450 mA 40 V Forbedringstilstand TO-92-3 (TO-226AA)
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 500 V Udtømningstilstand TO-252 (D-PAK-3)
- Microchip N-kanal DMOS FET-Kanal 350 mA 9 V Udtømningstilstand SOT-23-5
- DiodesZetex Type N-Kanal 320 mA 100 V Forbedring TO-92, ZVNL110A
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben R8019KNZ4
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RJ1
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben R8011KNZ4