ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 68 A -40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, AG502EG AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 646-617
- Producentens varenummer:
- AG502EGD3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 34,56
(ekskl. moms)
Kr. 43,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 29. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 6,912 | Kr. 34,56 |
| 50 - 245 | Kr. 6,088 | Kr. 30,44 |
| 250 - 495 | Kr. 5,46 | Kr. 27,30 |
| 500 + | Kr. 4,324 | Kr. 21,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 646-617
- Producentens varenummer:
- AG502EGD3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 68A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | AG502EG | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48.0nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 77W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 68A | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie AG502EG | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48.0nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 77W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM MOSFET i bilkvalitet er AEC-Q101-kvalificeret. Velegnet til automotive systemer. Disse MOSFET'er er 100 procent lavine-testet.
Lav modstand ved tændt
Pb-fri belægning
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3 AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3L08BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3N045AT AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben AG502EED3HRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3L04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3G04BBJHRB AEC-Q101