STMicroelectronics N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 39 A 600 V Forbedring, 5 Ben, PowerFLAT, ST8L60
- RS-varenummer:
- 648-108
- Producentens varenummer:
- ST8L60N065DM9
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 34,89
(ekskl. moms)
Kr. 43,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 274 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 34,89 |
| 10 - 49 | Kr. 28,26 |
| 50 - 99 | Kr. 21,60 |
| 100 + | Kr. 17,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 648-108
- Producentens varenummer:
- ST8L60N065DM9
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 39A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Serie | ST8L60 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 202W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 66nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 8.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 8.1mm | |
| Højde | 950μm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 39A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Serie ST8L60 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 202W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 66nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 8.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 8.1mm | ||
Højde 950μm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET er baseret på den mest innovative super-junction MDmesh DM9-teknologi, der er velegnet til mellem-/højspændings MOSFET'er med meget lav RDS(on) pr. område sammen med en diode med hurtig genopretning. Den siliciumbaserede DM9-teknologi drager fordel af en multi-drain-produktionsproces, som giver mulighed for en forbedret enhedsstruktur. Den hurtige genoprettelsesdiode med meget lav genoprettelsesladning (Qrr), tid (trr) og RDS(on) gør denne hurtigt skiftende super-junction Power MOSFET skræddersyet til de mest krævende højeffektive brotopologier og ZVS faseskiftekonvertere.
Lav gate-opladning
Lav indgangskapacitans og -modstand
100 procent lavinetestet
Fremragende skifteydelse
PowerFLAT 8x8 HV hus
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 58 A 650 V Forbedring PowerFLAT, ST8L65
- STMicroelectronics N-Kanal 25 A 600 V Forbedring PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Kanal 5.5 A 600 V Forbedring PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Kanal 15 A 600 V Forbedring PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Kanal 22 A 600 V Forbedring PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics 1 N-Kanal Enkelt 8 Ben, PowerFLAT (5 x 6) HV
- STMicroelectronics N-Kanal 2.2 A 600 V Forbedring PowerFLAT (33) HV, MDmesh II
- Microchip N-Kanal 410 mA 60 V Forbedring TO-39, 2N6660