onsemi Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 94 A 40 V Forbedring, 5 Ben, DFNW-5, NVM AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 648-509
- Producentens varenummer:
- NVMFWS2D9N04XMT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 73,45
(ekskl. moms)
Kr. 91,81
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.290 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 7,345 | Kr. 73,45 |
| 100 - 490 | Kr. 4,548 | Kr. 45,48 |
| 500 - 990 | Kr. 2,812 | Kr. 28,12 |
| 1000 + | Kr. 2,783 | Kr. 27,83 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 648-509
- Producentens varenummer:
- NVMFWS2D9N04XMT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 94A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | NVM | |
| Emballagetype | DFNW-5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15.7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 4.9mm | |
| Standarder/godkendelser | Pb-Free, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 94A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie NVM | ||
Emballagetype DFNW-5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15.7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 4.9mm | ||
Standarder/godkendelser Pb-Free, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductor Power MOSFET til brug i biler i et 5 x 6 mm fladt ledningshus designet til kompakte og effektive designs og inklusive høj termisk ydeevne. Vandbar flanke kan leveres til forbedret optisk inspektion. AEC-Q101 kvalificeret MOSFET og PPAP-kompatibel, velegnet til brug i biler.
Lille fodaftryk
Lav RDS(on)
Lav QG og kapacitet
Vådbar flankefunktion
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 195 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 233 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 384 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM
- onsemi Type N-Kanal 66 A 40 V Forbedring DFN-5, NVM AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 8 Ben, DFNW-8 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 110 A 80 V Forbedring DFN, NVM AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 94 A 40 V Forbedring PowerPAK, SQS146 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 156 A 80 V Forbedring DFNW-5, NVMFWS AEC-Q