onsemi N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 384 A 40 V Forbedring, 5 Ben, DFNW-5, NVM
- RS-varenummer:
- 648-518
- Producentens varenummer:
- NVMFWS0D63N04XMT1G
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 20 flere for at gemme 38%
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 53,78
(ekskl. moms)
Kr. 67,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 90 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 26,89 | Kr. 53,78 | - |
| 20 - 98 | Kr. 16,645 | Kr. 33,29 | 38% |
| 100 - 198 | Kr. 9,65 | Kr. 19,30 | 64% |
| 200 + | Kr. 9,385 | Kr. 18,77 | 65% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 648-518
- Producentens varenummer:
- NVMFWS0D63N04XMT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 384A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DFNW-5 | |
| Serie | NVM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 157W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 92.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 780mV | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 384A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DFNW-5 | ||
Serie NVM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 157W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 92.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 780mV | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductor Power MOSFET til brug i biler i et 5 x 6 mm fladt ledningshus designet til kompakte og effektive designs og inklusive høj termisk ydeevne. Vandbar flanke kan leveres til forbedret optisk inspektion. AEC-Q101 kvalificeret MOSFET og PPAP-kompatibel, velegnet til brug i biler.
Lille fodaftryk
Lav RDS(on)
Lav QG og kapacitet
Vådbar flankefunktion
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 233 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 195 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 94 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 66 A 40 V Forbedring DFN-5, NVM AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 156 A 80 V Forbedring DFNW-5, NVMFWS AEC-Q
- onsemi N-Kanal 121 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVMFWS AEC-Q
- onsemi N-Kanal 253 A 80 V Forbedring DFNW-5, NVMFWS AEC-Q
- onsemi N-Kanal 66 A 40 V Forbedring DFN-5, NTM