onsemi N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 195 A 40 V Forbedring, 5 Ben, DFNW-5, NVM AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 648-511
- Producentens varenummer:
- NVMFWS1D3N04XMT1G
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 37%
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 65,00
(ekskl. moms)
Kr. 81,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.500 enhed(er) afsendes fra 02. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,00 | Kr. 65,00 | - |
| 50 - 245 | Kr. 8,064 | Kr. 40,32 | 37% |
| 250 - 495 | Kr. 4,652 | Kr. 23,26 | 64% |
| 500 + | Kr. 4,548 | Kr. 22,74 | 65% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 648-511
- Producentens varenummer:
- NVMFWS1D3N04XMT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 195A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | NVM | |
| Emballagetype | DFNW-5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38.6nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 90W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Pb-Free | |
| Bredde | 5.9mm | |
| Længde | 4.9mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 195A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie NVM | ||
Emballagetype DFNW-5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38.6nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Effektafsættelse maks. Pd 90W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Pb-Free | ||
Bredde 5.9mm | ||
Længde 4.9mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductor Power MOSFET til brug i biler i et 5 x 6 mm fladt ledningshus designet til kompakte og effektive designs og inklusive høj termisk ydeevne. Vandbar flanke kan leveres til forbedret optisk inspektion. AEC-Q101 kvalificeret MOSFET og PPAP-kompatibel, velegnet til brug i biler.
Lille fodaftryk
Lav RDS(on)
Lav QG og kapacitet
Vådbar flankefunktion
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 233 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 94 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 384 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM
- onsemi N-Kanal 66 A 40 V Forbedring DFN-5, NVM AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 8 Ben, DFNW-8 AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 110 A 80 V Forbedring DFN, NVM AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 156 A 80 V Forbedring DFNW-5, NVMFWS AEC-Q
- onsemi N-Kanal 121 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVMFWS AEC-Q