onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Forbedring, 5 Ben, DFNW-5, NVMFWS AEC-Q
- RS-varenummer:
- 220-573
- Producentens varenummer:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 47,35
(ekskl. moms)
Kr. 59,19
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 4,735 | Kr. 47,35 |
| 100 - 240 | Kr. 4,495 | Kr. 44,95 |
| 250 - 490 | Kr. 4,174 | Kr. 41,74 |
| 500 - 990 | Kr. 3,83 | Kr. 38,30 |
| 1000 + | Kr. 3,688 | Kr. 36,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-573
- Producentens varenummer:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 121A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DFNW-5 | |
| Serie | NVMFWS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.35mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22.2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 63W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | AECQ101 Qualified and PPAP Capable | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 121A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DFNW-5 | ||
Serie NVMFWS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.35mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22.2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 63W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser AECQ101 Qualified and PPAP Capable | ||
Bilindustristandarder AEC-Q | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductor MOSFET har lav kapacitans for at minimere driverens tab. Denne enhed er Pb-fri, halogenfri og BFR-fri.
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 156 A 80 V Forbedring DFNW-5, NVMFWS AEC-Q
- onsemi Type N-Kanal 253 A 80 V Forbedring DFNW-5, NVMFWS AEC-Q
- onsemi Type N-Kanal 201 A 80 V Forbedring SO-8FL, NVMFWS AEC-Q
- onsemi Type N-Kanal 8 Ben, DFNW-8 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 384 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM
- onsemi Type N-Kanal 195 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 94 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 233 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101