onsemi N-Kanal, MOSFET, 156 A 80 V Forbedring, 5 Ben, DFNW-5, NVMFWS AEC-Q
- RS-varenummer:
- 220-574
- Producentens varenummer:
- NVMFWS2D5N08XT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 121,10
(ekskl. moms)
Kr. 151,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.285 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 24,22 | Kr. 121,10 |
| 50 - 95 | Kr. 23,008 | Kr. 115,04 |
| 100 - 495 | Kr. 21,304 | Kr. 106,52 |
| 500 - 995 | Kr. 19,628 | Kr. 98,14 |
| 1000 + | Kr. 18,88 | Kr. 94,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-574
- Producentens varenummer:
- NVMFWS2D5N08XT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 156A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | DFNW-5 | |
| Serie | NVMFWS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.55mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 133W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 156A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype DFNW-5 | ||
Serie NVMFWS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.55mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 133W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductor Power MOSFET i en 5x6mm flat lead-emballage designet til kompakte og effektive designs og med høj termisk ydeevne. Mulighed for våd flanke til forbedret optisk inspektion. AEC-Q101-kvalificeret MOSFET og PPAP-egnet til applikationer i bilindustrien.
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS