onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 156 A 80 V Forbedring, 5 Ben, DFNW-5, NVMFWS AEC-Q NVMFWS2D5N08XT1G
- RS-varenummer:
- 220-574
- Producentens varenummer:
- NVMFWS2D5N08XT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 59,17
(ekskl. moms)
Kr. 73,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.335 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 11,834 | Kr. 59,17 |
| 50 - 95 | Kr. 11,234 | Kr. 56,17 |
| 100 - 495 | Kr. 10,412 | Kr. 52,06 |
| 500 - 995 | Kr. 9,59 | Kr. 47,95 |
| 1000 + | Kr. 9,23 | Kr. 46,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-574
- Producentens varenummer:
- NVMFWS2D5N08XT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 156A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | NVMFWS | |
| Emballagetype | DFNW-5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.55mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 133W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 6 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 156A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie NVMFWS | ||
Emballagetype DFNW-5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.55mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 133W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 6 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductor Power MOSFET i en 5x6mm flat lead-emballage designet til kompakte og effektive designs og med høj termisk ydeevne. Mulighed for våd flanke til forbedret optisk inspektion. AEC-Q101-kvalificeret MOSFET og PPAP-egnet til applikationer i bilindustrien.
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 253 A 80 V Forbedring DFNW-5, NVMFWS AEC-Q NVMFWS1D5N08XT1G
- onsemi Type N-Kanal 121 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVMFWS AEC-Q NVMFWS2D3N04XMT1G
- onsemi Type N-Kanal 201 A 80 V Forbedring SO-8FL, NVMFWS AEC-Q NVMFWS1D9N08XT1G
- onsemi Type N-Kanal 384 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM Nej NVMFWS0D63N04XMT1G
- onsemi Type N-Kanal 94 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101 NVMFWS2D9N04XMT1G
- onsemi Type N-Kanal 233 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101 NVMFWS1D1N04XMT1G
- onsemi Type N-Kanal 195 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101 NVMFWS1D3N04XMT1G
- onsemi AEC-Q100 8 Ben
