onsemi N-Kanal, MOSFET, 253 A 80 V Forbedring, 5 Ben, DFNW-5, NVMFWS AEC-Q
- RS-varenummer:
- 220-570
- Producentens varenummer:
- NVMFWS1D5N08XT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 62,91
(ekskl. moms)
Kr. 78,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 31,455 | Kr. 62,91 |
| 20 - 198 | Kr. 28,35 | Kr. 56,70 |
| 200 - 998 | Kr. 26,105 | Kr. 52,21 |
| 1000 - 1998 | Kr. 24,235 | Kr. 48,47 |
| 2000 + | Kr. 19,71 | Kr. 39,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-570
- Producentens varenummer:
- NVMFWS1D5N08XT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 253A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | DFNW-5 | |
| Serie | NVMFWS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.43mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 194W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 6mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 253A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype DFNW-5 | ||
Serie NVMFWS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.43mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 194W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 6mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductor MOSFET i en 5x6mm flat lead-emballage designet til kompakte og effektive designs og med høj termisk ydeevne. Mulighed for våd flanke til forbedret optisk inspektion. AEC-Q101-kvalificeret MOSFET og PPAP-egnet til applikationer i bilindustrien.
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS