Microchip Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 280 mA 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VP0808
- RS-varenummer:
- 649-535
- Producentens varenummer:
- VP0808L-G
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 46,97
(ekskl. moms)
Kr. 58,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 520 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 9,394 | Kr. 46,97 |
| 50 - 245 | Kr. 8,258 | Kr. 41,29 |
| 250 - 495 | Kr. 7,436 | Kr. 37,18 |
| 500 + | Kr. 6,268 | Kr. 31,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 649-535
- Producentens varenummer:
- VP0808L-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 280mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Serie | VP0808 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Længde | 0.50mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 280mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Serie VP0808 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Længde 0.50mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip-transistor med forbedringstilstand (normalt slukket) udnytter en vertikal DMOS-struktur og en velprøvet fremstillingsproces med siliciumgate. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Fri for sekundær nedbrydning
Krav om lavt strømforbrug
Let at parallellisere
Lav CISS og hurtige skiftehastigheder
Fremragende termisk stabilitet
Integreret kilde-drændiode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 280 mA 60 V Forbedring TO-92
- Microchip Type N-Kanal 600 mA 60 V Forbedring TO-92, VN2106
- Microchip Type N-Kanal 3.4 A 60 V Forbedring TO-92, TN0106
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben LP0701
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben VP3203
- Microchip Type P-Kanal 250 mA 60 V Forbedring TO-92
- Microchip Type P-Kanal 175 mA 40 V Forbedring TO-92
- Microchip Type P-Kanal -175 A 200 V Forbedring TO-92, TP0620