Microchip Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 3.4 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, TN0106 Nej TN0106N3-G
- RS-varenummer:
- 598-395
- Producentens varenummer:
- TN0106N3-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 pose af 1000 enheder)*
Kr. 5.470,00
(ekskl. moms)
Kr. 6.840,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pose* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 5,47 | Kr. 5.470,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-395
- Producentens varenummer:
- TN0106N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Serie | TN0106 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Bredde | 0.165 in | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 0.205in | |
| Højde | 0.82in | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Serie TN0106 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Bredde 0.165 in | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 0.205in | ||
Højde 0.82in | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip N-kanal-forbedringstilstand vertikal transistor med lav tærskel er bygget ved hjælp af en vertikal DMOS-struktur og en veletableret silicium-gate-fremstillingsproces. Dette design kombinerer strømhåndteringsmulighederne for bipolære transistorer med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient for MOS-enheder. Som alle MOS-strukturer er denne enhed fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud.
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundær nedbrydning
Lav indgangs- og udgangslækage
Relaterede links
- Microchip N-Kanal 350 mA 60 V TO-92, TN0106 TN0106N3-G
- Microchip N-Kanal TO-92 VN0106N3-G
- Microchip N-Kanal TO-92 TN0606N3-G
- Microchip N-Kanal 230 mA 60 V TO-92 2N7008-G
- Microchip P-Kanal 250 mA 60 V TO-92 VP2106N3-G
- Microchip N-Kanal 230 mA 60 V TO-92 VN2222LL-G
- Microchip N-Kanal 300 mA 60 V TO-92, TN2106 TN2106N3-G
- Microchip N-Kanal 200 mA 60 V TO-92, 2N7000 2N7000-G
