Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 2.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SQ2308FES AEC-Q101

RS-varenummer:: 653-059
Producentens varenummer:: SQ2308FES-T1_GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 2.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SQ2308FES AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.639,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.548,00

(inkl. moms)

Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 1,213	Kr. 3.639,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 653-059
Producentens varenummer:: SQ2308FES-T1_GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	Enkelt MOSFET'er
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	2.3A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	SOT-23
	Serie	SQ2308FES
	Monteringstype	Printmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	0.15Ω
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	2W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	5.3nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Højde	1.12mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bredde	2.64mm
	Længde	3.04mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype Enkelt MOSFET'er
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype SOT-23
	Serie SQ2308FES
	Monteringstype Printmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 0.15Ω
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 2W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.3nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Højde 1.12mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bredde 2.64mm
	Længde 3.04mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - SQ2308FES-T1_GE3

Vishay SQ2308FES seriens enkelte MOSFET'er, 60 V drain source-spænding, 2,3 A kontinuerlig drain-strøm - SQ2308FES-T1_GE3

Denne enkelt MOSFET er en N-kanalforbedringsenhed, der er designet til koblings- og styringsopgaver i elektroniske samlinger. Det er en overflademonteret MOSFET i et kompakt SOT-23-hus, der er beregnet til printmontering og anvendelser, der kræver moderat strømhåndtering og spændingsblokering i industrielle og biler.

Egenskaber og fordele:

• 60 V afløbsspænding giver robust spændingsmargen til omskiftning
• 2,3 A kontinuerlig strømkapacitet understøtter belastninger med medium effekt
• 0,15 Ω Rds(on) minimerer ledningstab under drift
• 5,3 nC gate-opladning muliggør reaktiv gate-drive-ydeevne
• 2 W effekttab muliggør pålidelig termisk håndtering i små pakker
• 20 V portklassificering passer til almindelige portdrevspændinger

Anvendelser

• Velegnet til hjælpekobling i biler i overensstemmelse med AEC‐Q101 standarder
• Ideel til belastningsswitching i industrielle automationsstyringer
• Anvendes til DC-DC-konverteringstrin i kompakte strømforsyninger
• Kan bruges til motordriverstrin i små elektromekaniske systemer
• Anvendes sammen med batteristyringskredsløb til mellemstrømsveje

Hvilke ekstreme temperaturer kan den tolerere i krævende miljøer?

Enheden er specificeret til at fungere i et område fra -55 °C op til 175 °C for samlings- eller driftstemperaturgrænser.

Hvor mange ben har pakken, og hvordan påvirker det layoutet?

SOT-23-huset har tre ben, hvilket forenkler kravene til fodaftryk og giver mulighed for kompakte printkortlayouts til implementeringer med enkelt omskifter.

Hvilken fremstillings- og miljøgodkendelse opfylder den?

Komponenten opfylder RoHS-kravene for begrænsede stoffer, hvilket understøtter blyfri produktionsprocesser.

Hvilke mekaniske pakkedimensioner er relevante for montering?

Enheden måler ca. 3,04 mm i længden, 2,64 mm i bredden og 1,12 mm i højden, hvilket hjælper med placering i tætte samlinger.