Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 2.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101 SQ2308CES-T1_GE3

RS-varenummer:: 180-7943
Producentens varenummer:: SQ2308CES-T1_GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 2.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101 SQ2308CES-T1_GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 79,74

(ekskl. moms)

Kr. 99,68

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 26.280 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 - 180	Kr. 3,987	Kr. 79,74
200 - 480	Kr. 3,187	Kr. 63,74
500 - 980	Kr. 2,787	Kr. 55,74
1000 - 1980	Kr. 2,356	Kr. 47,12
2000 +	Kr. 2,154	Kr. 43,08

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7943
Producentens varenummer:: SQ2308CES-T1_GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	2.3A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	164mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	3.5nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	2W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Bredde	2.64 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.12mm
	Længde	3.04mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype SOT-23
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 164mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.5nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 2W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Bredde 2.64 mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.12mm
	Længde 3.04mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 150 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 2 W og kontinuerlig drænstrøm på 2,3 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

• typisk ESD-ydelse 1500 V.

Anvendelsesområder

• adapterkontakt

• DC/DC-omformer

• Belastningsomskifter

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

• UIS-testet