Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 2.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 180-7943
- Producentens varenummer:
- SQ2308CES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 60,22
(ekskl. moms)
Kr. 75,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 22.360 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,011 | Kr. 60,22 |
| 200 - 480 | Kr. 2,409 | Kr. 48,18 |
| 500 - 980 | Kr. 2,106 | Kr. 42,12 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,78 | Kr. 35,60 |
| 2000 + | Kr. 1,623 | Kr. 32,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7943
- Producentens varenummer:
- SQ2308CES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 164mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 164mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 150 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 2 W og kontinuerlig drænstrøm på 2,3 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
• typisk ESD-ydelse 1500 V.
Anvendelsesområder
• adapterkontakt
• DC/DC-omformer
• Belastningsomskifter
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 2.3 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 8 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 4.1 A 40 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -0.84 A -150 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -2.5 A -30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 2 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 2.3 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 2.3 A 60 V Forbedring SOT-23, SQ23 AEC-Q101