Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 2.3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23-3, SQ2308FES AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 2,77

(ekskl. moms)

Kr. 3,46

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 19. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd
Pr bånd
1 +Kr. 2,77

*Vejledende pris

RS-varenummer:
735-118
Producentens varenummer:
SQ2308FES-T1_BE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.3A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23-3

Serie

SQ2308FES

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.15Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

2.36mm

Bredde

3.01mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
Vishay N-kanal MOSFET er designet til effektiv strømstyring i krævende anvendelser. Den fungerer ved en maksimal drain-source-spænding på 60 V og er kvalificeret iht. AEC-Q101-standarder.

Understøtter gate-source-spændinger på op til ± 20 V

Bredt driftstemperaturområde på -55 til +175 °C

Designet til at minimere termisk modstand under drift

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.