Vishay P-kanal-Kanal, MOSFET, -2.2 A 80 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23-3, SQ2337CES AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 2,39

(ekskl. moms)

Kr. 2,99

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 19. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Bånd
Pr bånd
1 - 24Kr. 2,39
25 - 99Kr. 1,65
100 +Kr. 0,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:
735-120
Producentens varenummer:
SQ2337CES-T1_BE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

P-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-2.2A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

SQ2337CES

Emballagetype

SOT-23-3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.29Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11.5nC

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.2mm

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
Vishay Power MOSFET giver høj effektivitet og pålidelighed i bilanvendelser ved at styre elektrisk energi effektivt og sikre robust ydeevne i krævende miljøer.

Bredt driftstemperaturområde fra -55 til +175 °C til forskellige miljøforhold

Maksimalt effekttab på 3 W understøtter krævende elektriske belastninger

On-state modstand så lav som 0,290 Ω ved -10 V for optimal strømhåndtering

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.