Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 2.3 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 913-4064
- Producentens varenummer:
- IRLML9303TRPBF
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 913-4064
- Producentens varenummer:
- IRLML9303TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 165mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.25W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.02mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 165mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.25W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.02mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
P-kanal MOSFET 30V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter P-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 2 3 ben HEXFET IRLML9303TRPBF
- Infineon P-Kanal 760 mA 30 V SOT-23, HEXFET IRLML5103TRPBF
- Infineon P-Kanal 3 3 ben HEXFET IRLML9301TRPBF
- Infineon P-Kanal 3 A 30 V SOT-23, HEXFET IRLML5203TRPBF
- Infineon P-Kanal 760 mA 30 V SOT-23, HEXFET IRLML5103GTRPBF
- Infineon P-Kanal 4 3 ben HEXFET IRLML2244TRPBF
- Infineon P-Kanal 4 3 ben HEXFET IRLML6401TRPBF
- Infineon P-Kanal 2 3 ben HEXFET IRLML2246TRPBF
