Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 2.6 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 10,18

(ekskl. moms)

Kr. 12,725

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 101.615 enhed(er) afsendes fra 25. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 2,036Kr. 10,18
50 - 245Kr. 1,94Kr. 9,70
250 - 495Kr. 1,854Kr. 9,27
500 - 1245Kr. 1,736Kr. 8,68
1250 +Kr. 1,642Kr. 8,21

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
760-4432
Elfa Distrelec varenummer:
304-45-315
Producentens varenummer:
IRLML2246TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.6A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOT-23

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

236mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

12 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.3W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.9nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.02mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.04mm

Bredde

1.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

P-kanal MOSFET 12 V til 20 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter P-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links