Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

RS-varenummer:: 913-4705
Producentens varenummer:: IRLML5203TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.938,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.424,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

Plus 27.000 enhed(er) afsendes fra 20. februar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 - 3000	Kr. 0,646	Kr. 1.938,00
6000 - 6000	Kr. 0,614	Kr. 1.842,00
9000 +	Kr. 0,575	Kr. 1.725,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 913-4705
Producentens varenummer:: IRLML5203TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	3A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	SOT-23
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	165mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	9.5nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	1.25W
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	3.04mm
	Højde	1.02mm
	Bredde	1.4 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype SOT-23
	Serie HEXFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 165mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.5nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 1.25W
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 3.04mm
	Højde 1.02mm
	Bredde 1.4 mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 3A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 30V maksimal drænkildespænding - IRLML5203TRPBF

Denne MOSFET er en højtydende power-enhed, der er velegnet til en række anvendelser i elektronikbranchen. Denne P-kanal-enhed har en kompakt SOT-23-pakke og giver betydelig effektivitet med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 3A og en drain-source-spænding på 30V. Med dimensioner på 3,04 mm i længden, 1,4 mm i bredden og 1,02 mm i højden er den velegnet til design med begrænset plads.

Egenskaber og fordele

• Mulighed for 30 V drain-source-spænding til alsidig brug

• Designet til overflademontering for forenklet PCB-design

• Fungerer inden for et temperaturområde på -55°C til +150°C

• Udnytter enhancement mode til pålidelig switching performance

Anvendelser

• Anvendes i batteristyringssystemer for optimal ydelse

• Bruges i bærbar elektronik på grund af lavprofildesignet

• Anvendes i load management-løsninger på tværs af forskellige enheder

• Velegnet til avancerede kontrolsystemer til automatisering

Hvad er betydningen af den lave Rds(on) i denne enhed?

Den lave Rds(on) sikrer reduceret effekttab under drift, hvilket forbedrer den samlede effektivitet og opretholder lavere termiske niveauer i applikationer.

Hvordan påvirker strømforbruget enhedens ydeevne?

Evnen til at aflede op til 1,25 W giver mulighed for effektiv varmestyring, hvilket sikrer, at enheden fungerer pålideligt selv under maksimale belastningsforhold uden termiske fejl.

Hvilke faktorer påvirker valget af denne MOSFET til en specifik applikation?

Faktorer som maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, spændingsværdier og termiske egenskaber skal overvejes for at sikre kompatibilitet med kredsløbskrav og forventninger til ydeevne.