Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

RS-varenummer:: 784-0325
Producentens varenummer:: IRLML5203TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 15,56

(ekskl. moms)

Kr. 19,45

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

30 enhed(er) klar til afsendelse
Plus 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 - 90	Kr. 1,556	Kr. 15,56
100 - 240	Kr. 1,481	Kr. 14,81
250 - 490	Kr. 0,935	Kr. 9,35
500 - 990	Kr. 0,853	Kr. 8,53
1000 +	Kr. 0,703	Kr. 7,03

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 784-0325
Producentens varenummer:: IRLML5203TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	3A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	165mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	1.25W
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	9.5nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	3.04mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	1.4 mm
	Højde	1.02mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Serie HEXFET
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 165mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 1.25W
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.5nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 3.04mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 1.4 mm
	Højde 1.02mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 3A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 30V maksimal drænkildespænding - IRLML5203TRPBF

Denne MOSFET er en højtydende power-enhed, der er velegnet til en række anvendelser i elektronikbranchen. Denne P-kanal-enhed har en kompakt SOT-23-pakke og giver betydelig effektivitet med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 3A og en drain-source-spænding på 30V. Med dimensioner på 3,04 mm i længden, 1,4 mm i bredden og 1,02 mm i højden er den velegnet til design med begrænset plads.

Egenskaber og fordele

• Mulighed for 30 V drain-source-spænding til alsidig brug

• Designet til overflademontering for forenklet PCB-design

• Fungerer inden for et temperaturområde på -55°C til +150°C

• Udnytter enhancement mode til pålidelig switching performance

Anvendelser

• Anvendes i batteristyringssystemer for optimal ydelse

• Bruges i bærbar elektronik på grund af lavprofildesignet

• Anvendes i load management-løsninger på tværs af forskellige enheder

• Velegnet til avancerede kontrolsystemer til automatisering

Hvad er betydningen af den lave Rds(on) i denne enhed?

Den lave Rds(on) sikrer reduceret effekttab under drift, hvilket forbedrer den samlede effektivitet og opretholder lavere termiske niveauer i applikationer.

Hvordan påvirker strømforbruget enhedens ydeevne?

Evnen til at aflede op til 1,25 W giver mulighed for effektiv varmestyring, hvilket sikrer, at enheden fungerer pålideligt selv under maksimale belastningsforhold uden termiske fejl.

Hvilke faktorer påvirker valget af denne MOSFET til en specifik applikation?

Faktorer som maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, spændingsværdier og termiske egenskaber skal overvejes for at sikre kompatibilitet med kredsløbskrav og forventninger til ydeevne.