Name: Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
Brand: Infineon
SKU: 302-038
Price: 2.88 DKK
Availability: Discontinued

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	760mA
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	600mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	540mW
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	3.4nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	3.04mm
	Højde	1.02mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 760mA
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Serie HEXFET
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 600mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 540mW
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.4nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 3.04mm
	Højde 1.02mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 760 mA maksimal kontinuerlig drænstrøm, 540 mW maksimal effektafgivelse - IRLML5103TRPBF

Denne MOSFET er en alsidig elektronisk komponent, der egner sig til effektive power switching-applikationer. Den er designet til brug i automations-, elektronik- og mekanikindustrien og tilbyder en kompakt løsning til højtydende opgaver. Dens forbedrede kanaltilstand forbedrer driftseffektiviteten, hvilket gør den til et populært valg i applikationer, der kræver pålidelig MOSFET-funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Kompakt SOT-23-pakke, der er velegnet til design med begrænset plads

• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 760 mA for forbedret holdbarhed

• Maksimal drain-source-spænding på 30 V til en række anvendelser

• Lav Rds(on) på 600mΩ minimerer strømtab og øger effektiviteten

• Typisk gate-ladning på 3,4nC sænker koblingstabene

Anvendelsesområder

• Anvendes i strømstyrings- og konverteringsløsninger

• Velegnet til industrielle automatiseringsopsætninger

• Ideel til design af switch-mode-strømforsyninger

• Understøtter batteristyringssystemer i elektroniske enheder

• Anvendt i motorisk kontrol der kræver effektiv strømafbrydelse

Hvordan klarer MOSFET'en sig i miljøer med høje temperaturer?

Den fungerer effektivt ved temperaturer op til +150 °C, hvilket sikrer en ensartet ydelse under udfordrende forhold.

Hvad er betydningen af den lave Rds(on)-værdi?

En lav Rds(on) på 600mΩ reducerer energitabet under drift og forbedrer den samlede systemeffektivitet.

Kan denne MOSFET bruges i kompakte designs?

Ja, SOT-23-pakken gør det muligt at integrere den i kompakte applikationer uden at gå på kompromis med ydeevnen.

Hvad er den maksimale gate-source-spænding, som denne enhed kan håndtere?

Den kan tåle en maksimal gate-source-spænding på ±20V, hvilket giver sikker drift inden for de angivne grænser.

Hvordan skal installationen gribes an for at opnå optimal ydeevne?

Korrekt håndtering og layout på printkortet er afgørende for at sikre tilstrækkelig termisk styring og tilslutning for at opnå optimale resultater.

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET