Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 2.3 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- RS-varenummer:
- 725-9369
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-45-321
- Producentens varenummer:
- IRLML9303TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 25,14
(ekskl. moms)
Kr. 31,42
(inkl. moms)
Tilføj 620 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- 1.980 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 1,257 | Kr. 25,14 |
| 200 - 480 | Kr. 0,875 | Kr. 17,50 |
| 500 - 980 | Kr. 0,831 | Kr. 16,62 |
| 1000 - 1980 | Kr. 0,767 | Kr. 15,34 |
| 2000 + | Kr. 0,718 | Kr. 14,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 725-9369
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-45-321
- Producentens varenummer:
- IRLML9303TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 165mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.25W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 165mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.25W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET 30V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter P-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 2.3 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 3 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 3.6 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 2.6 A 20 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 760 mA 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 4.3 A 20 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret 2.3 A 20 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon P-Kanal 760 mA 30 V SOT-23, HEXFET IRLML5103GTRPBF
