Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
919-4744
Producentens varenummer:
IRLML5103TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

760mA

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOT-23

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

600mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.4nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

540mW

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.02mm

Bredde

1.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TH

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 760 mA maksimal kontinuerlig drænstrøm, 540 mW maksimal effektafgivelse - IRLML5103TRPBF


Denne MOSFET er en alsidig elektronisk komponent, der egner sig til effektive power switching-applikationer. Den er designet til brug i automations-, elektronik- og mekanikindustrien og tilbyder en kompakt løsning til højtydende opgaver. Dens forbedrede kanaltilstand forbedrer driftseffektiviteten, hvilket gør den til et populært valg i applikationer, der kræver pålidelig MOSFET-funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Kompakt SOT-23-pakke, der er velegnet til design med begrænset plads

• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 760 mA for forbedret holdbarhed

• Maksimal drain-source-spænding på 30 V til en række anvendelser

• Lav Rds(on) på 600mΩ minimerer strømtab og øger effektiviteten

• Typisk gate-ladning på 3,4nC sænker koblingstabene

Anvendelsesområder


• Anvendes i strømstyrings- og konverteringsløsninger

• Velegnet til industrielle automatiseringsopsætninger

• Ideel til design af switch-mode-strømforsyninger

• Understøtter batteristyringssystemer i elektroniske enheder

• Anvendt i motorisk kontrol der kræver effektiv strømafbrydelse

Hvordan klarer MOSFET'en sig i miljøer med høje temperaturer?


Den fungerer effektivt ved temperaturer op til +150 °C, hvilket sikrer en ensartet ydelse under udfordrende forhold.

Hvad er betydningen af den lave Rds(on)-værdi?


En lav Rds(on) på 600mΩ reducerer energitabet under drift og forbedrer den samlede systemeffektivitet.

Kan denne MOSFET bruges i kompakte designs?


Ja, SOT-23-pakken gør det muligt at integrere den i kompakte applikationer uden at gå på kompromis med ydeevnen.

Hvad er den maksimale gate-source-spænding, som denne enhed kan håndtere?


Den kan tåle en maksimal gate-source-spænding på ±20V, hvilket giver sikker drift inden for de angivne grænser.

Hvordan skal installationen gribes an for at opnå optimal ydeevne?


Korrekt håndtering og layout på printkortet er afgørende for at sikre tilstrækkelig termisk styring og tilslutning for at opnå optimale resultater.

Relaterede links