Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 8 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247AC, EF
- RS-varenummer:
- 653-138
- Producentens varenummer:
- SIHG11N80AEF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 19,30
(ekskl. moms)
Kr. 24,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 19,30 |
| 10 + | Kr. 18,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-138
- Producentens varenummer:
- SIHG11N80AEF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-247AC | |
| Serie | EF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.483Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 78W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 20.70mm | |
| Længde | 16.25mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-247AC | ||
Serie EF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.483Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 78W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 20.70mm | ||
Længde 16.25mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay EF seriens Power MOSFET, 800 V drain source spænding, 78 W effekttab - SIHG11N80AEF-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings, N-kanals koblingsenhed, der er designet til strøm-elektroniske opgaver, hvor robust spændingshåndtering og montering gennem hul er påkrævet. Den fungerer som en forstærkningstransistor, der er velegnet til anvendelser, der har brug for en høj drain-til-kilde-nedbrydning og konventionelle gate-drive-arrangementer. Pakken understøtter ledningsmontering og er beregnet til industriel og elektronisk systemintegration.
Egenskaber og fordele:
• 800 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 8 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderat belastningsgennemstrømning • 0,483 Ω Rds(on) minimerer ledningstab under belastning • 41 nC gate-opladning reducerer koblingsenergi- og drevkravene • 78 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning • 30 V maks. portdrev bevarer portisolationsintegritet
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere • Ideel til motordrev invertertrin i industrielle styringer • Anvendes til switch-mode strømelektronik og omformere • Kan bruges til PFC med mellemstor effekt og boost-regulatordesign
Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?
Den er specificeret til at fungere mellem -55 °C og 150 °C og passer til miljøer med koldstart og forhøjet temperatur.
Hvordan monteres enheden i typiske samlinger?
Den leveres i en TO-247AC-pakke med gennemgående hul med tre ben til sikker kortfastgørelse og montering på køleelement.
Hvilke portdrevbegrænsninger skal designere overholde?
Gate-til-kilde-spændingen må ikke overstige 30 V for at undgå at beskadige gate-dielektrisk.
Er der overvejelser om håndtering for termisk styring?
78 W tabsfaktor kræver passende varmeafledende og termiske grænseflader for at opretholde samlingstemperaturer inden for specificerede grænser.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-247AC, EF
- Vishay Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay Type N-Kanal 21 A 600 V Forbedring TO-263, EF
- Vishay Type N-Kanal 38 A 600 V Forbedring PowerPAK, EF
- Vishay Type N-Kanal 31 A 600 V Forbedring PowerPAK, EF
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben R8019KNZ4
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben R8011KNZ4
- Vishay Type N-Kanal 150 A 60 V Forbedring PowerPAK, SUM50010EL