STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 268 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- RS-varenummer:
- 719-657
- Producentens varenummer:
- STL270N6LF7
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 21,02
(ekskl. moms)
Kr. 26,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 271 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 21,02 |
| 10 - 99 | Kr. 14,44 |
| 100 - 499 | Kr. 10,47 |
| 500 - 999 | Kr. 9,13 |
| 1000 + | Kr. 9,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-657
- Producentens varenummer:
- STL270N6LF7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 268A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | STL | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 145nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 187W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5mm | |
| Længde | 6.1mm | |
| Højde | 1mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 268A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie STL | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 145nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 187W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5mm | ||
Længde 6.1mm | ||
Højde 1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET udnytter STripFET F7-teknologi med en forbedret trinch-gate-struktur, der resulterer i en meget lav modstand i tændt tilstand, samtidig med at den interne kapacitet og gate-ladning reduceres for hurtigere og mere effektiv omskiftning.
Blandt de laveste RDS(on) på markedet
Fremragende FoM (fortjensttal)
Lavt Crss/Ciss-forhold for EMI-immunitet
Høj lavine-robusthed
Logisk niveau VGS(th)
Relaterede links
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 268 A 60 V Forbedring PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 144 A 40 V Forbedring PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics Type N-Kanal 203 A 40 V PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 350 A 40 V PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 290 A 40 V PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 167 A 40 V Forbedring PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 12 V Forbedring PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 154 A 40 V PowerFLAT, STL
