Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 55 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 14,36

(ekskl. moms)

Kr. 17,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 14,36

*Vejledende pris

RS-varenummer:
735-132
Producentens varenummer:
SiSD5110DN
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

SiS

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0095Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

100V

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.3nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1mm

Længde

4mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

4mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Vishay N-channel TrenchFET Gen V Power MOSFET er optimeret til kobling med lavt tab i AI-strømserverløsninger og strømforsyninger med høj tæthed. Den opnår en mærkeværdi på 100 V drain-source med usædvanligt lav modstand ved tænding på maks. 9,5 mΩ ved 10 V portdrev for at minimere ledningstab.

55 A kontinuerlig drain-strøm ved TC=25 °C

57 W maks. effekttab

Lav total gate-ladning på maks. 29 nC

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.