Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 44 A 200 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 762-982
- Producentens varenummer:
- ISC300N20NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 14,35
(ekskl. moms)
Kr. 17,94
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Begrænset lager
- 4.300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 14,35 |
| 10 - 24 | Kr. 12,07 |
| 25 - 99 | Kr. 7,52 |
| 100 - 499 | Kr. 7,26 |
| 500 + | Kr. 7,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-982
- Producentens varenummer:
- ISC300N20NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 44A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 5.35mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 44A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 30mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 5.35mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 6 effekttransistor er en 200 V N-kanal-enhed, der er designet til effektive strømapplikationer. Den har lav modstand ved tænding og minimal omvendt genopretningsladning (Qrr). Desuden opfylder den RoHS-standarder, er halogenfri og er klassificeret som MSL 1 iht. J-STD-020.
100% lavine testet
175 °C driftstemperatur
Høj mærkeværdi for lavineenergi
Blyfri blybelægning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal Halvbro 60 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 25 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, OptiMOS 5
- Infineon N-kanal-Kanal 127 A 80 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-kanal-Kanal 127 A 80 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-kanal-Kanal 339 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal-Kanal 394 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal-Kanal 460 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal-Kanal 510 A 60 V Forbedring PG-TSON-12, OptiMOS
