Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 125 A 30 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO263-3, StrongIRFET
- RS-varenummer:
- 762-987
- Producentens varenummer:
- IPB018N03LF2SATMA1
- Brand:
- Infineon
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 12,60
(ekskl. moms)
Kr. 15,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 800 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 12,60 |
| 10 - 24 | Kr. 10,59 |
| 25 - 99 | Kr. 6,56 |
| 100 - 499 | Kr. 6,39 |
| 500 + | Kr. 6,21 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-987
- Producentens varenummer:
- IPB018N03LF2SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 125A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Emballagetype | PG-TO263-3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bredde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 15.88mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 125A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Emballagetype PG-TO263-3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Bredde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 15.88mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon StrongIRFET 2 effekttransistor er en 30 V N-kanal MOSFET, der er velegnet til forskellige anvendelser. Den fungerer under ekstreme forhold med en maksimal mærketemperatur på 175 °C og overholder miljøforskrifter.
100% lavine testet
Blyfri ledningsbelægning
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon N-kanal-Kanal 122 A 30 V Forbedring PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon N-kanal-Kanal 119 A 30 V Forbedring PG-TO263-3, StrongIRFET
- Infineon N-kanal-Kanal 28 A 650 V Forbedring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 45 A 60 V Forbedring PG-TO263-3, IPB057N06N
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V, PG-TO263-3
- Infineon Type N-Kanal 39 A 200 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon Type N-Kanal 134 A 200 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS-TM6
- Infineon Type N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101