Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 119 A 30 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO263-3, StrongIRFET

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 19,90

(ekskl. moms)

Kr. 24,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 790 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 19,90
10 - 99Kr. 12,94
100 - 499Kr. 8,90
500 - 799Kr. 7,78
800 +Kr. 6,66

*Vejledende pris

RS-varenummer:
762-990
Producentens varenummer:
IPB023N03LF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

119A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PG-TO263-3

Serie

StrongIRFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.35mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Effektafsættelse maks. Pd

107W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.83mm

Længde

15.88mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

10.67mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineon StrongIRFET 2 effekttransistor er en 30 V N-kanal MOSFET, der er velegnet til forskellige anvendelser. Den fungerer under ekstreme forhold med en maksimal mærketemperatur på 175 °C og overholder miljøforskrifter.

100% lavine testet

Blyfri ledningsbelægning

I overensstemmelse med RoHS

Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.