Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET til biler, 25 A 200 V MOSFET, 8 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 790-426
- Producentens varenummer:
- SQJQ190E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 50 enheder)*
Kr. 1.207,25
(ekskl. moms)
Kr. 1.509,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 24,145 | Kr. 1.207,25 |
| 500 - 1200 | Kr. 15,651 | Kr. 782,55 |
| 1250 - 4950 | Kr. 8,273 | Kr. 413,65 |
| 5000 - 24950 | Kr. 8,048 | Kr. 402,40 |
| 25000 + | Kr. 7,826 | Kr. 391,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 790-426
- Producentens varenummer:
- SQJQ190E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET til biler | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | PowerPAK 8 x 8 L | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.075Ω | |
| Kanalform | MOSFET | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET til biler | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.075Ω | ||
Kanalform MOSFET | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay N-kanals MOSFET leverer robust ydeevne til bilanvendelser, der er designet til at håndtere høj strøm og spænding med effektivitet. Dens avancerede konstruktion sikrer pålidelighed i krævende miljøer.
Mærket til en drain-kilde-spænding på 200 V
AEC Q101 kvalificeret til standarder for bilindustrien
Kan tåle kontinuerlige afløbsstrømme op til 95 A
Understøtter en maksimal samletemperatur på 175 °C
Relaterede links
- Vishay N-kanal-Kanal 58 A 100 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal 47 A 30 V MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 49 A 80 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 95 A 100 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dobbelt N-kanal-Kanal 21 A 60 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -4.4 A 60 V MOSFET SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 105 A 100 V Forbedring PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 189 A 150 V Forbedring PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101