Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 375 A 60 V Forbedringstilstand, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 851-493
- Producentens varenummer:
- SQJA36EP-T1_BE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 19,00
(ekskl. moms)
Kr. 23,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 19,00 |
| 10 - 99 | Kr. 12,27 |
| 100 - 499 | Kr. 8,38 |
| 500 - 999 | Kr. 7,11 |
| 1000 + | Kr. 6,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 851-493
- Producentens varenummer:
- SQJA36EP-T1_BE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 375A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 0V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 107nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 Qualified | |
| Længde | 6mm | |
| Bredde | 5mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 375A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 0V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 107nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 Qualified | ||
Længde 6mm | ||
Bredde 5mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay automotive N-kanal MOSFET leverer pålidelig ydeevne ved høje spændinger. Designet til effektiv strømstyring, den er ideel til krævende bilanvendelser.
AEC-Q101 kvalificeret til pålidelighed i biler
TrenchFET Gen IV-teknologi sikrer forbedret effektivitet
100 % R- og UIS-testet for kvalitetssikring
On-state modstand optimerer koblingsegenskaber