Vishay N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 375 A 60 V Forbedringstilstand, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 851-494
- Producentens varenummer:
- SQJQ580E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 43,68
(ekskl. moms)
Kr. 54,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 43,68 |
| 10 - 99 | Kr. 28,57 |
| 100 - 499 | Kr. 21,39 |
| 500 - 999 | Kr. 18,03 |
| 1000 + | Kr. 16,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 851-494
- Producentens varenummer:
- SQJQ580E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 375A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 101nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 6mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 Qualified | |
| Bredde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 375A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 101nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 6mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 Qualified | ||
Bredde 5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay automotive MOSFET er en automotive N-kanalenhed, der er designet til pålidelig strømstyring. Den udmærker sig ved høje temperaturer og sikrer effektiv ydeevne på tværs af forskellige anvendelser i bilsektoren.
TrenchFET Gen V-teknologi forbedrer strømeffektiviteten
AEC-Q101-kvalificeret til strenge bilstandarder
Maksimal drain-kilde-spænding på 80 V sikrer robust drift
Lav modstand i tændt tilstand giver effektiv ydeevne