Microchip N-kanal-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 120 A 600 V Forbedringstilstand, 3 Ben, TO-247, APT
- RS-varenummer:
- 862-370
- Producentens varenummer:
- APT100N60BC7
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 190,27
(ekskl. moms)
Kr. 237,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Nyt produkt - forudbestil i dag
- Afsendelse fra 25. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 190,27 |
| 5 + | Kr. 178,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 862-370
- Producentens varenummer:
- APT100N60BC7
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | APT | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 416W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 226nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 40.5mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 3-Compliant | |
| Bredde | 15.75mm | |
| Længde | 20.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie APT | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 18Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 416W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 226nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 40.5mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS 3-Compliant | ||
Bredde 15.75mm | ||
Længde 20.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip Superjunction MOSFET giver effektiv strømstyring til højspændingsanvendelser. Den giver pålidelig og robust drift i krævende miljøer, hvilket sikrer optimal ydeevne i elektriske systemer.
Lav modstand ved tænding minimerer ledningstab
Ultrahurtig omvendt genopretning reducerer koblingstab
Lav gate-ladning sikrer pålidelig drift ved høje frekvenser
Avalanche-klassificeret for fremragende robusthed ved hård kommutation