Vishay N-Kanal, MOSFET, 50.3 A 80 V N, 8 Ben, 1212-8S, SiSS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 15,11

(ekskl. moms)

Kr. 18,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Bånd
Pr bånd
1 - 9Kr. 15,11
10 - 99Kr. 7,11
100 - 499Kr. 6,36
500 - 999Kr. 5,01
1000 +Kr. 4,79

*Vejledende pris

RS-varenummer:
878-901
Producentens varenummer:
SISS32ADN-T1-UE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50.3A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

1212-8S

Serie

SiSS

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0087Ω

Kanalform

N

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.4mm

Højde

0.83mm

Bredde

3.4mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
IL
Vishay halvleder er en robust N-kanal MOSFET, der er designet til effektiv strømstyring, med lav modstand i tændt tilstand og forbedret termisk ydeevne til krævende driftsmiljøer.

TrenchFET Gen IV-teknologi giver fremragende effektivitet

Meget lav RDS(on) reducerer effekttab under drift

Gate-source tærskelspænding garanterer pålidelig omskiftning

Omfattende temperaturområde sikrer drift under forskellige forhold

Pakkedesign muliggør forenklet integration i kredsløbslayouter

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.