Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 84 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS FD Nej IPB117N20NFDATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 bånd af 2 enheder)*

Kr. 33,64

(ekskl. moms)

Kr. 42,04

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
2 +Kr. 16,82Kr. 33,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
110-7458
Producentens varenummer:
IPB117N20NFDATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

84A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

TO-263

Serie

OptiMOS FD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

11.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

65nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

170°C

Bredde

9.45 mm

Standarder/godkendelser

IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS

Længde

10.31mm

Højde

4.57mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Ikke relevant

Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links