Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 84 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS FD Nej

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
166-0877
Producentens varenummer:
IPB117N20NFDATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

84A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

OptiMOS FD

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

11.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

65nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Driftstemperatur maks.

170°C

Højde

4.57mm

Længde

10.31mm

Standarder/godkendelser

IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS

Bredde

9.45 mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):
MY

Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links