Renesas Electronics N-Kanal, MOSFET, 25 A 500 V, 3 ben, TIL-3P RJK5015DPK-00#T0

Brand

Renesas Electronics

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

25 A

Drain source spænding maks.

500 V

Kapslingstype

TIL-3P

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

240 mΩ

Kanalform

Enhancement

Effektafsættelse maks.

150 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

+30 V

Bredde

4.8mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

66 nC ved 10 V

Længde

15.6mm

Antal elementer per chip

1

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Transistormateriale

Si

Højde

19.9mm

Gennemgangsspænding for diode

1.6V