Renesas Electronics Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 30 V Forbedring, 8 Ben, WPAK, BEAM

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 55,47

(ekskl. moms)

Kr. 69,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.940 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 11,094Kr. 55,47
50 - 95Kr. 9,41Kr. 47,05
100 - 245Kr. 8,048Kr. 40,24
250 - 995Kr. 7,884Kr. 39,42
1000 +Kr. 5,476Kr. 27,38

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
234-7153
Producentens varenummer:
RJK0391DPA-00#J5A
Brand:
Renesas Electronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Renesas Electronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

WPAK

Serie

BEAM

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0029Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

50W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.85mm

Bredde

5.9 mm

Standarder/godkendelser

Pb-Free, Halogen-Free

Længde

6.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Renesas Electronics N-kanals enkelt effekt MOSFET er velegnet til switching- og belastningskontaktanvendelser. Den har høj brydespænding på 30 V. Den er i stand til 4,5 V gate-drift.

Højhastighedsomskifter

Lav driftsstrøm

Montering med høj tæthed

Lav modstand ved tændt

Blyfri

Halogenfri

Relaterede links