DiodesZetex 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 840 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 122-0207
- Producentens varenummer:
- DMG1016UDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.590,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.980,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 96.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,53 | Kr. 1.590,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 122-0207
- Producentens varenummer:
- DMG1016UDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 840mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 736.6nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 330mW | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Standarder/godkendelser | MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 840mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 736.6nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 330mW | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Standarder/godkendelser MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Enkelt 360 mA 50 V Forbedring SC-88 AEC-Q200 AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 115 mA 60 V Forbedring SC-88 AEC-Q100 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 1.3 A 30 V Forbedring SC-88 AEC-Q200 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 200 mA 60 V Forbedring SC-88 AEC-Q101 AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 200 mA 50 V Forbedring SC-88 AEC-Q101 AEC-Q200
- DiodesZetex Type P-Kanal 130 mA 50 V Forbedring SC-70 AEC-Q100, AEC-Q200