DiodesZetex 2 Type N, Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 700 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- RS-varenummer:
- 122-1464
- Producentens varenummer:
- DMC2400UV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.275,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.593,00
(inkl. moms)
Tilføj 3000 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 21.000 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | Kr. 0,425 | Kr. 1.275,00 |
| 9000 + | Kr. 0,399 | Kr. 1.197,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 122-1464
- Producentens varenummer:
- DMC2400UV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 700mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-563 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Bredde | 1.25 mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, J-STD-020 | |
| Længde | 1.7mm | |
| Højde | 0.6mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 700mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-563 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Bredde 1.25 mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, J-STD-020 | ||
Længde 1.7mm | ||
Højde 0.6mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben DMC2710 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P Effekt MOSFET 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Dobbelt 1.03 A 20 V Forbedring SOT-563, DMG1023 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 1.38 A 20 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 15 A 12 V Forbedring UDFN AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 21 A 30 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 8.7 A 12 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101
