onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, QFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 4.660,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.825,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 1,864Kr. 4.660,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
124-1718
Producentens varenummer:
FQD12N20LTM
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

QFET

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

280mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

6.1 mm

Længde

6.6mm

Højde

2.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

QFET® N-kanal MOSFET, 6 A til 10,9 A, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductors nye QFET® planar MOSFET'er bruger avanceret egenudviklet teknologi til at give den bedste driftsydelse i klassen til en lang række anvendelser herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærme (PDP), forkoblinger til belysning og bevægelseskontrol.

De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links