ROHM Type P-Kanal, MOSFET, 4 A 12 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, RAF040P01 Nej RAF040P01TCL
- RS-varenummer:
- 124-6767
- Producentens varenummer:
- RAF040P01TCL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 65,16
(ekskl. moms)
Kr. 81,44
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 3,258 | Kr. 65,16 |
| 100 - 180 | Kr. 2,45 | Kr. 49,00 |
| 200 - 480 | Kr. 2,102 | Kr. 42,04 |
| 500 - 980 | Kr. 1,967 | Kr. 39,34 |
| 1000 + | Kr. 1,915 | Kr. 38,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-6767
- Producentens varenummer:
- RAF040P01TCL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | SOT-323 | |
| Serie | RAF040P01 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 68mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 800mW | |
| Portkildespænding maks. | -8 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.82mm | |
| Bredde | 1.8 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype SOT-323 | ||
Serie RAF040P01 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 68mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 800mW | ||
Portkildespænding maks. -8 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.82mm | ||
Bredde 1.8 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET-transistorer, ROHM
MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor
Relaterede links
- ROHM P-Kanal 1 3 ben RZF013P01 RZF013P01TL
- ROHM P-Kanal 1 A 45 V SOT-323, RSF010P05 RSF010P05TL
- ROHM P-Kanal 200 mA 20 V SOT-323, RU1C002ZP RU1C002ZPTCL
- Infineon P-Kanal 310 mA 20 V SOT-323, OptiMOS P BSS223PWH6327XTSA1
- ROHM P-Kanal 210 mA 60 V, SOT BSS84WAHZGT106
- onsemi P-Kanal 1 3 ben, SOT-323 NTS4101PT1G
- onsemi P-Kanal 1 3 ben, SOT-323 NTS2101PT1G
- Infineon P-Kanal 630 mA 20 V SOT-323 BSS209PWH6327XTSA1
