onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 1.5 A 8 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, NTS2101P
- RS-varenummer:
- 780-4755
- Producentens varenummer:
- NTS2101PT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 36,725
(ekskl. moms)
Kr. 45,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Manglende forsyning
- Plus 75 enhed(er) afsendes fra 30. januar 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 1,469 | Kr. 36,73 |
| 100 - 225 | Kr. 1,269 | Kr. 31,73 |
| 250 - 475 | Kr. 1,098 | Kr. 27,45 |
| 500 - 975 | Kr. 0,966 | Kr. 24,15 |
| 1000 + | Kr. 0,88 | Kr. 22,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 780-4755
- Producentens varenummer:
- NTS2101PT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 8V | |
| Serie | NTS2101P | |
| Emballagetype | SOT-323 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 210mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 330mW | |
| Portkildespænding maks. | ±8 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.2mm | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 8V | ||
Serie NTS2101P | ||
Emballagetype SOT-323 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 210mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 330mW | ||
Portkildespænding maks. ±8 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.2mm | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal Power MOSFET, 8 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi Type P-Kanal 1.5 A 8 V Forbedring SOT-323, NTS2101P Nej
- onsemi Type P-Kanal 1.5 A 30 V Forbedring SOT-23, PowerTrench Nej
- onsemi Type P-Kanal 1.5 A 30 V Forbedring SOT-23, PowerTrench Nej FDN358P
- ROHM Type P-Kanal 1 A 45 V Forbedring SOT-323, RSF010P05 RSF010P05TL
- ROHM Type N-Kanal 1.5 A 60 V Forbedring SOT-323, RSF015N06 Nej RSF015N06TL
- ROHM Type P-Kanal 4 A 12 V Forbedring SOT-323, RAF040P01 Nej RAF040P01TCL
- ROHM Type P-Kanal 1.3 A 12 V Forbedring SOT-323, RZF013P01 Nej RZF013P01TL
- ROHM Type P-Kanal 200 mA 20 V Forbedring SOT-323, RU1C002ZP Nej RU1C002ZPTCL
